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参考设计:CGD-ASY-RFD004FA-01

300 W 图腾柱 PFC 半桥 LLC:高功率密度、紧凑和薄型设计

这款 300 W CrCM 图腾柱 PFC 半桥 LLC 参考设计使用我们的 H2 系列 55 mΩ 作为 PFC 级,并使用 H2 系列 130 mΩ ICeGaN® 650 V 器件作为 LLC 级开关晶体管。

该参考设计演示了 ICeGaN® 如何提高效率、降低空载功耗以及降低离线转换器的热应力,为下一代高功率密度、紧凑和薄型设计开启了大门。

特性:

  • 高功率密度:开放式框架功率密度为 20 W/in3 (300 W) 和 23 W/in3 (350 W)
  • 由于 H2 系列器件采用 NL3 电路,空载功耗低至 150 mW

主要规格:

  • 峰值效率 > 95%,平均效率 > 93%
  • Vin: 90-264 V VAC
  • Vout: 20 VDC
  • 尺寸:153 mm(长)x 80 mm(宽)x 20.4 mm(高)

文件下载

CGD-AN2302-How to Use ICeGaN-CN

2024-07-24 | .pdf | 4423.49KB