Cambridge GaN Devices 任命新任首席执行官

此次任命将推动 CGD 在重点市场开启新一阶段增长。

英国剑桥，2026 年 1 月 5 日 —— 无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN Devices（简称 CGD）今日宣布，任命 Fabio Necco 出任公司首席执行官（CEO）。该任命旨在加速 CGD 进入多个关键市场，推动公司下一阶段的发展。

Fabio Necco 将接替 CGD 联合创始人 Giorgia Longobardi 出任 CEO。Longobardi 在发布任命时表示： “我非常高兴欢迎 Fabio 加入 CGD，并将公司的日常管理工作交由他负责，同时我将把更多精力投入到推动先进、可持续、高能效电力电子解决方案走向市场这一我所热爱的事业中。Fabio 拥有推动 CGD 迈入下一增长阶段所需的正确经验与能力。在我转任 CGD 首席市场官（CMO）之际，我也将全力支持他的新举措。”

Fabio Necco 此前任职于美国半导体公司安森美半导体（onsemi），曾担任副总裁兼事业部总经理，在电力电子、应用工程、汽车电动化及数据中心等领域拥有超过 25 年的从业经验，这些领域亦是 CGD 当前重点布局的核心市场。

Fabio Necco 表示：“CGD 正处于公司发展历程中的关键阶段。我与 CGD 以及 Giorgia 相识多年，一直对公司在她领导下所取得的成就深感钦佩。我对 CGD 独特的技术路线充满信心，也非常荣幸能够带领整个团队推进下一阶段的产品开发，并显著提升 CGD 在重点市场的影响力。”

CGD 的高能效氮化镓（GaN）功率器件可帮助电力电子设计人员开发更加可持续、高能效的系统解决方案。凭借 GaN 技术的固有优势以及成熟灵活的无晶圆厂商业模式，CGD 在快速增长的市场中具备独特竞争力，当前对 GaN 技术呈现出的指数级需求增长亦印证了这一趋势。不同于市面上其他的 GaN 解决方案，CGD 的 ICeGaN® 技术采用单片集成（monolithic）单芯片架构，将所有关键功能集成于同一芯片上，显著提升了系统效率与性能。

这一单片化设计使 CGD 能够提供结构紧凑、以工程需求为导向的 GaN 功率器件，融合下一代设计理念与技术创新，尤其适用于电动汽车牵引/辅助逆变器以及工业电力转换等细分应用场景。公司在裸片、易用性、稳健栅极设计及并联运行能力方面的持续投入，使其产品适用于广泛的功率电子应用。

在公司治理层面，作为 CGD 联合创始人，Giorgia Longobardi 在继续担任 CGD 首席市场官的同时，仍将出任公司董事会董事，并继续担任国际半导体产业组织（International Semiconductor Industry Group，I.S.I.G.）咨询委员会成员。 Fabio Necco 的任命即日起正式生效。

关于Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices 专注于氮化镓（GaN）晶体管及集成电路的设计、开发与商业化，致力于在能效与系统紧凑性方面实现突破性提升。公司使命是通过高效、易用的 GaN 解决方案，将创新带入日常生活。

CGD 的 ICeGaN® 技术已验证适用于大规模量产，公司目前正依托既有的制造与客户合作伙伴关系快速推进业务规模化。作为一家无晶圆厂企业，CGD 脱胎于剑桥大学，其创始人 Giorgia Longobardi 博士及首席技术官Florin Udrea 教授仍与剑桥大学著名的高压微电子与传感器研究团队（HVMS）保持紧密合作。

CGD 的 ICeGaN HEMT 技术受到持续扩展的强大知识产权组合保护，这源于公司对技术创新的长期投入。CGD 团队在电力电子市场积累的深厚技术与商业经验，是其专有技术获得市场广泛认可的关键因素。