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充电器适配器

更小更快

快速充电超小型充电器和电源适配器已是消费者的基本要求,以使便携式设备每周 7 天、每天 24 小时不间断供电。

我们还希望能够在一个更小、更轻、更薄的外壳中供电,我们希望充电器/适配器在包中不再需要我们专门为放置它们预留空间。

GaN 在这两个关键领域都发挥了作用,并已成为电源适配器和充电器的首选技术。

氮化镓 (GaN) 晶体管是传统充电器和适配器中硅晶体管的更高性能替代品。GaN 晶体管可提高效率,降低功耗,减少热量,还可缩小关键组件。

GaN Chargers & Adapters

技术与拓扑

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LLC DC-DC 转换器

功率因数修正 (PFC) 通常由二极管桥式整流器完成,另一种选择是使用 MOS 晶体管和 SiC 整流器的单晶体管升压转换器。这很有效,但在整流器和 MOS 晶体管开关中存在大幅功率损耗。图腾柱拓扑大大降低了这些损耗;避免了由于整流器的正向电压造成的损耗。使用零电压开关的不连续模式可实现更低的损耗。宽禁带晶体管(即 ICeGaN™)对于这种拓扑的高效率至关重要。

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图腾柱功率因数修正

在 PFC 级之后,DC-DC 转换提供适合负载运行的低压输出、电流调节和安全隔离。LLC 配置实现了非常高的效率,因为可以在零电压和零电流开关模式下工作,从而大大降低了损耗。CGD GaN 技术支持的高频操作也意味着小尺寸。

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反激式 DC-DC 转换器

在低功率、低要求应用中,单电源开关反激式转换器可提供经济型解决方案。如果某些闪变可接受,则可以将功率因数修正和 DC-DC 转换组合在同一级中。可以通过准谐振操作将功率损耗降至最低。优化损耗的有源钳位反激式需要额外的低功率开关,但对于获得最佳性能很有价值。ICeGaN™ 支持的高频操作实现了所有这些优势,也缩小了整体尺寸。

文件

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