Cambridge GaN Devices 的 ICeGaN™ 产品技术具高度可靠性，在APEC上透过维吉尼亚理工大学技术论文获得验证

>超 70 V 过压能力结合智能片上保护大幅提高 GaN 可靠性和耐用性

（2023年3月22日，英国剑桥讯）Cambridge GaN Devices (CGD) 宣布，由领先学术研究机构弗吉尼亚理工大学 (Virginia Tech University) 进行的独立第三方研究表明，CGD 的 ICeGaN™ 氮化镓 (GaN) 技术相较于其他 GaN 平台更可靠、更稳健。CGD 作为一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发出一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。弗吉尼亚理工大学研究人员与 CGD 创新与研究部总监 Daniel Popa 共同发表了论文“A GaN HEMT with Exceptional Gate Over-Voltage Robustness”（GaN HEMT 具有异常栅极过电压稳定性）。论文中展示的实验证据表明，智能保护电路使 ICeGaN HEMT 可实现超过 70 V 的超高过压裕量，可媲美甚至超过最先进的传统硅器件。

DANIEL POPA | CGD 创新与研究部总监
“对于 GaN HEMT 器件的栅极可靠性和驱动器设计，意外出现的高驱动电压是一个非常关键的问题。先进的 GaN HEMT 在 25 V 左右仍然有效，而该值对于转换器等应用已经属于栅极电压过冲范围，会导致器件故障。在 ICeGaN 出现之前，只有先进的 SiC 和超结器件才有可能达到 70 V 或更高的击穿电压值。”

ICeGaN HEMT 独特的内在性能大幅提高了器件的可靠性，甚至远超来自竞争对手的新型先进 GaN 器件，并且耐用性也与先进的硅基器件相当。弗吉尼亚理工大学的研究证实，通过完全集成的 GaN 智能电路，ICeGaN 技术具备极高的动态栅极击穿能力，此外还具有更高的电压阈值 (3 V) 以及更高的电压范围 (0 – 20 V)，并且在较低温度下具有更强的栅极电压钳位作用。 在智能 ICeGaN 电路中还集成了一种新颖的米勒钳位设计，可确保能够承受高 dV/dt 和 dI/dt 事件，并且不再需要负栅极电压来关断（和保持关断）HEMT，进而减少动态 Ron 应力。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商务官
“CGD 的 ICeGaN 技术拥有两大优势，即易用性和可靠性。在设计中，我们将片上 GaN 中的智能保护电路和 HEMT 集成，实现了这两个关键优势，能够像 MOSFET 一样驱动器件，而无需使用特殊的栅极驱动器、复杂且会有损耗的驱动电路，也不要求有负电压电源或额外的钳位元件，因此能够在条件苛刻、充满挑战的应用中仍保持有效运作。”

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关于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司，由来自剑桥大学的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，旨在探索功率器件的革命性技术。公司的使命是通过高效易用的 GaN 解决方案为日常生活带来创新体验。CGD 从事 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发及商业化，从根本上改进器件能效和尺寸，并使其适合量产。CGD 拥有领先的创新技能和宏图大志，不断扩大知识产权组合，为 ICeGaN™ 技术奠定了强大的基础。除了数百万的种子基金，以及 A 轮融资和现在的 B 轮私人融资，CGD 目前已有四个项目成功获得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的资助。CGD 团队拥有深厚的技术和商业专业知识，在电力电子市场备受认可，拥有良好的业界口碑，促使公司的专利技术在初期便受到市场青睐。

联系方式
Andrea Bricconi，CGD 首席商务官 | +49 1732410796 [email protected] Jeffreys Building, Suite 8, Cowley Road, Cambridge CB4 0DS

全球机构：Nick Foot，BWW Communications | +44-7808-362251 | [email protected]