两个 CGD ICeGaN® 器件，由具有可变栅极驱动电压的标准 MOSFET 驱动器驱动

半桥评估板支持各种 ICeGaN® 版本与现成硅 MOSFET 驱动器一起使用，证明了可轻松将 ICeGaN® 引入现有设计。

该评估板有四个版本，包括两个 55 mOhm CGD65A055S2、两个 130 mOhm CGD65A130S2、两个 130 mOhm CGD65B130S2 或两个 200 mOhm CGD65B200S2 650 V GaN HEMT，配置为半桥和 9 V 至 20 V 的可变栅极驱动电压。

所有版本的所有电路板功能都相同。