CGD推出新款低热阻GaN功率IC封装
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。
CGD 成功完成C轮融资
CGD已成功完成3,200万美元的C轮融资。这笔资金将帮助 CGD 扩大在剑桥、北美、中国台湾和欧洲的业务，为不断增长的客户提供 CGD 独特的价值主张；并将推动实施 CGD 继续向大功率工业、数据中心和汽车市场提供高效的 GaN 产品的增长战略。
CGD推出新型ICeGaN GaN功率IC
CGD 推出新型 ICeGaN™ P2系列 IC。该系列采用新颖的芯片和封装设计，导通电阻(RDS(on)低至25 mΩ，将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。
CGD推出新款低热阻GaN功率IC封装
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。
CGD 成功完成C轮融资
CGD已成功完成3,200万美元的C轮融资。这笔资金将帮助 CGD 扩大在剑桥、北美、中国台湾和欧洲的业务，为不断增长的客户提供 CGD 独特的价值主张；并将推动实施 CGD 继续向大功率工业、数据中心和汽车市场提供高效的 GaN 产品的增长战略。

1 of 3

引入 ICeGaN® 技术

业界首创、易于使用的增强模式 GaN

集成电路增强模式 GaN：具有最先进静态和动态性能的新型平台，可增加内部栅极端子的易用性和智能温度控制，从而提高栅极可靠性。与其他现有 GaN 器件不同，我们的智能 ICeGaN® 晶体管可与标准硅栅极驱动器搭配工作，且无需负电压关断，因此不必配置外部、昂贵的驱动和钳位接口。最后，GaN 功率晶体管的工作方式与 MOSFET 大致相同。

节能50% 以上

随着全球电气化迅猛发展，对高效和创新解决方案的需求也与日俱增。与最先进的硅器件相比，ICeGaN® 功率器件可在更高的开关频率下工作，具有更低的损耗和导通电阻，还可提供更高性能，同时将节能效果提高 50%。

体积缩小至两倍以上

GaN 晶体管可轻松地以更高频率运行许多电路拓扑，同时仍能实现极高能效，从而使许多应用变得更小、更轻。 CGD 的 ICeGaN® 可将多个特性集成至增强型 GaN 晶体管，运行温度更低，可靠性更高，与硅相比， GaN 具有可以实现前所未有的功率密度的优势。

最新消息

Cambridge GaN Devices (CGD) 获得3,200万美元融资，以推动在全球功率半导体领域的增长

氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。